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近年韩国半导体蚀刻技术专利申请与美日旗鼓相当 |
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| http://cn.newmaker.com
9/23/2005 7:44:00 PM
佳工机电网
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日前，韩国知识产权局(KIPO)发表声明，韩国近年不仅缩小了1984年以来与日本和美国在半导体蚀刻技术[注]专利申请方面的差距，且已呈超越之势。 KIPO对此类专利申请进行分析后表示， 1984年至2000年期间韩国专利申请量远逊于日本，与美国勉强处于同一水平，但2001年以来已经超越美国和日本。
在1984至2000年期间，来自日本、美国与韩国三国的干燥蚀刻技术(dry etching)的专利申请共5,092件，占全部蚀刻技术专利申请的81.9%，潮湿蚀刻技术(wet etching)专利申请为1,125件。就国家而言，日本3,225件，占全部蚀刻技术专利申请的51.9%，其次为韩国(1,503件，24.1%)和美国(1,489件，24%)。
在2001年至2004年期间，韩国的专利申请777件(38.4%)，其次为日本(664件，32.8%)以及美国(582件，28.8%)。韩国取得突飞猛进主要缘于韩国Jusung Engineering Co.和ADP公司等制造商的努力以及三星电子公司、LG 公司在蚀刻技术开发上所取得的突破。(庆俊梅)
[注]蚀刻是利用化学反应或物理撞击作用将材料移除的技术。蚀刻技术广泛应用于航空、机械、化学工业之中，在半导体制程工序上，蚀刻更是不可或缺的技术。蚀刻技术可分为潮湿蚀刻技术和干燥蚀刻技术。
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