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1.55微米室温连续激射激光器研制成功 |
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| http://cn.newmaker.com
9/22/2005 11:20:00 AM
佳工机电网
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由中国科学院半导体所承担的国家“973”、“863”和中科院重大项目“新一代镓铟氮砷(GaInNAs)长波长光电子材料与器件”，于近日成功研制出工作波长1.58微米的镓铟氮砷锑/镓砷长波长(GaInNAsSb/GaAs)单量子阱边发射激光器，实现室温连续激射，其性能参数如阈值电流达到镓砷(GaAs)基1.2至1.6微米波段的同类激光器水平，超越国际同行1.5微米的研究结果。
随着互联网等信息产业的飞速发展，高速、大容量光纤通讯网络的市场需求逐年成倍增长。与商用磷化铟基材料和器件相比，基于砷化镓的镓铟氮砷锑/镓砷(GaInNAsSb)材料体系具有成本更低、温度特性好，性能更稳定，易实现单片光(电)子集成等优点，是制备光通讯、光互联等多种用途新一代光电子器件的理想材料，是近年来欧、美、日等发达国家的研究重点，市场应用前景广阔，竞争非常激烈。
该课题组研究人员在分子束外延生长高质量1.3微米量子阱材料的基础上，通过增加氮的并入量和采用镓氮砷(GaNAs)垒层，将量子阱的发光波长拓展到了1.55微米，同时运用锑元素作为生长过程中的表面活性剂，优化退火条件，大大改善了晶体质量，使材料质量达到了制作激光器的要求。此次研制成功的激光器采用脊形波导条形结构、利用未镀膜的自然解理面作为谐振腔，实现了1.58微米室温连续激射。这是世界上首次实现镓氮砷(GaAs)基稀氮化合物半导体激光器1.5微米以上的室温激射，它证明了镓氮砷(GaAs)基器件在1.2至1.6微米波段的全面应用的可行性，为进一步实现在光通讯、光互联中应用的实用化和产业化展示了光明的前景。
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