Vishay Siliconix推出具有业界最佳优值系数（FOM）的新款N沟道功率MOSFET - 新闻


		我的佳工网手机版 English
		关键字

选择展区 >>




您的位置：首页 > 电子元器件及材料展区 > 二极管、三极管展厅 > 产品库 > MOSFET > 新闻 > 正文	产品会展人才帮助 \| 注册登录

二极管、三极管

	按行业筛选

	按产品筛选


本产品全部新闻

e展厅

产品库

视频

新闻

市场动态 \| 技术动态 \| 企业新闻 \| 图片新闻 \| 新闻评论	佳工网行业新闻--给您更宽的视角	发表企业新闻投稿

Vishay Siliconix推出具有业界最佳优值系数（FOM）的新款N沟道功率MOSFET

http://cn.newmaker.com 11/4/2010 4:22:00 PM 佳工机电网

该器件是采用TO-247封装的600V、47A器件，具有15.12Ω-nC的导通电阻

宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 11 月 4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采用TO-247封装。

栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM)，SiHG47N60S的FOM为15.12Ω-nC，是业界此类器件当中最低的。

SiHG47N60S的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在太阳能电池和风力发电机的逆变器、通信、服务器和电机控制电源应用中的逆变器电路和脉宽调制(PWM)全桥拓扑中节约能源。

新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技术制造，这种技术为减小通态电阻、在雪崩和通信模式中承受高能脉冲进行了有针对性的处理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，为保证可靠工作进行了完备的雪崩测试。

新款功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周到十二周。

欢迎访问e展厅

展厅
 1 二极管、三极管展厅
 晶体管, LED, 二极管, 高压二极管, 三极管, ...

【发表评论】【新闻评论】【论坛】【收藏此页】

更多有关MOSFET的新闻： more

·[图]Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET 12/9/2014
·[图]IR推出抗辐射的功率MOSFET，耐压20V、导通电阻15mΩ 8/21/2013
·GaN器件开始侵食硅功率MOSFET市场 11/4/2010
·飞兆半导体开发出用于MOSFET器件的Dual Cool封装 11/1/2010
·IR拓展车用DirectFET2功率MOSFET系列 10/27/2010
·[图]Vishay Siliconix继续扩大应用在医疗电子领域中的功率MOSFET的领先优势 10/25/2010
·罗姆公布SiC制MOSFET的投产日期 10/15/2010
·锐骏半导体大电流MOSFET填补国产空白 10/9/2010
·IR新型-30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活 9/20/2010
·IR推出车用DirectFET2功率MOSFET AUIRF7648M2和AUIRF7669L2 9/13/2010

更多有关二极管、三极管的新闻：

·[图]艾迈斯欧司朗推出新款白光LED，提供高效的植物照明解决方案 6/27/2021
·[图]性能更佳，固化更快 - DELO推出结构紧凑、效率更高的 LED 点光源固化灯控制单元 1/8/2021
·[图]Microchip 推出最新一代汽车用700 和 1200V 碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管 10/28/2020
·[图]Osram Osconiq S 3030 QD LED 创新量子点技术让LED更高效 10/21/2019
·[图]Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET 12/9/2014
·[图]Semtech推出符合AEC-Q100标准的车用瞬态二极管 12/9/2014
·[图]IR推出抗辐射的功率MOSFET，耐压20V、导通电阻15mΩ 8/21/2013
·隆达电子开发出全国第一片6吋LED晶粒制程圆片 12/29/2010
·上海光机所新型白光LED制备技术通过验收 11/3/2010
·飞兆半导体开发出用于MOSFET器件的Dual Cool封装 11/1/2010

对二极管、三极管有何见解？请到二极管、三极管论坛畅所欲言吧！