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罗姆公布SiC制MOSFET的投产日期

http://cn.newmaker.com 10/15/2010 8:42:00 AM 日经BP社

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展厅 1	二极管、三极管展厅晶体管, LED, 二极管, 高压二极管, 三极管, ...

罗姆公布了SiC制MOSFET的投产日期。首先预定2010年内投产电流容量约为5～10A的产品。这些MOSFET具有面向部分客户设定性能参数的高定制性。该公司还考虑2011年春季前后面向更多企业扩充产品阵容。

SiC制MOSFET作为可替代现有Si制IGBT等的新一代功率元件而备受关注。虽然目前已有多家企业投产SiC制肖特基势垒二极管（SBD），但MOSFET的投产却相对滞后。这是因为与二极管相比，MOSFET的制造工艺复杂，并且很难确保可靠性等。目前已有多家企业致力于开发SiC制MOSFET。估计罗姆投产MOSFET后，会加快该领域的开发竞争。（记者：根津祯）

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