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IR新型-30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活 |
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| http://cn.newmaker.com
9/20/2010 9:01:00 AM
佳工机电网
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国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 m至59 m，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“相比上一代产品，这个新型SO-8 P 沟道 MOSFET系列显著改善了电流处理能力，更为客户提供广泛的导通电阻选择，以适应他们对温度和成本的要求。同时，P 沟道技术也可以简化电路设计。”
P 沟道 MOSFET器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 标准，所采用的材料不含铅，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
产品规格
器件编号 封装 BV (V) 最大 Vgs (V) 10V下的典型 / 最大RDS(on) (m) 4.5V下的典型 / 最大RDS(on)(m)
IRF9310 SO-8 -30 20 3.9 / 4.6 5.8 / 6.8
IRF9317 SO-8 -30 20 5.4 / 6.6 8.3 / 10.2
IRF9321 SO-8 -30 20 5.9 / 7.2 9.3 / 11.2
IRF9328 SO-8 -30 20 10.0 / 11.9 16.1 / 19.7
IRF9332 SO-8 -30 20 13.6 / 17.5 22.5 / 28.1
IRF9333 SO-8 -30 20 15.6 / 19.4 25.6 / 32.5
IRF9335 SO-8 -30 20 48 / 59 83 / 110
IRF9362 SO-8 (dual) -30 20 17.0 / 21.0 25.7 / 32
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