|
照明设备 |
|
| 按行业筛选 |
|
|
| 按产品筛选 |
|
|
| |
本产品全部新闻
|
|
|
|
|
日本发出发光强高达2.6倍的荧光体 或将大幅提高LED的发光效率 |
|
| http://cn.newmaker.com
9/3/2010 8:54:00 AM
日经BP社
|
|
日本新泻大学开发出了发光强度高达原来的2.6倍的荧光体制造工艺。据该大学介绍，这种工艺有望大幅提高LED等的发光效率。这一消息是在2010年9月14～17日于长崎大学举行的“2010年秋季第71届应用物理学会学术演讲会”之前，在日本应用物理学会举办的会前发布会上公开的。新泻大学在学会上发表演讲的序号为14a-ZM-7。
这种荧光体为Ba2SiO4：Eu2＋材料，照射紫外线时会发出波长超过500nm绿色光线。据新泻大学介绍，尽管成分上属于普通荧光体，但此次粒径却达到了数十μm，约为原来3.5μm左右的10倍。通过加大粒径来增加穿过粒子的光路长度等措施，将粒子吸收光线的效率提高到了30％以上。以前，未被荧光体吸收的光会在荧光体粒子之间反复发生的光反射过程中衰减并损耗。此次则大幅减少了这种损耗。
与原来粒径较小的Ba2SiO4：Eu2＋相比，照射相同紫外线时的发光强度提高到了后者的2.6倍。
开发出这种材料的新泻大学研究生院自然科学研究系副教授户田健司认为，此次增大粒径的制造工艺“可应用于含有Si成分的大多数LED用荧光体”。而且，“尽管最终效果还取决于LED的设计，但有望使目前（90lm/W左右）的LED发光效率提高1.5倍以上”（户田）。
此次的荧光体制造方法为气相法的一种。具体做法是先准备好BaCO3及Eu等固体粉末的混合物，在还原剂H2和Ar的氛围下，使混合物与加热至1500℃以上的SiO气体发生反应。
此前，为增大粒径而对荧光体原料进行高温处理时，荧光体的原料会熔化成玻璃状。此次，通过直接在气体状态下使含有Si的材料发生反应，解决了以往存在的问题。“其他合成法也有不使用Ar而采用N2等的事例，不过存在会生成SiN等杂质的问题”（户田）。（记者：野泽 哲生）
|
对 照明设备 有何见解？请到 照明设备论坛 畅所欲言吧！
|
