二极管、三极管 |
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IR 推出PQFN封装和铜夹技术的中压功率MOSFET |
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http://cn.newmaker.com
7/6/2010 11:07:00 AM
佳工机电网
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国际整流器(IR) 7月2日宣布,将拓展HEXFET功率MOSFET产品组合,提供完整的中压器件系列,其中采用了5x6mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能,适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压,所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“由于新器件的尺寸仅为0.9mm,并具有标准引脚,可提供高额定电流和低导通电阻,因此与需要多个并行元件的解决方案相比,具有更高的效率、功率密度和可靠性,因而非常适合电路板空间狭小的开关应用。”
所有器件都具有低热阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 标准,所采用的环保材料既不含铅、溴或卤,也符合有害物质管制指令(RoHS)。
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