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Fairchild推出高性能MicroFET MOSFET产品 |
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| http://cn.newmaker.com
5/11/2010 12:15:00 PM
佳工机电网
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 可实现极低的RDS(ON)/QG/QGD
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求，推出采用超紧凑、薄型(1.6×1.6×0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列。
设计人员使用这一行业领先的产品系列，能够挑选最适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的产品系列备有数种常用的拓扑选择，包括单P沟道和肖特基二极管组合，单N沟道和肖特基二极管组合、双P沟道、双N沟道、互补对(complementary pair)、单N沟道和单P沟道器件。
这些MicroFET MOSFET采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术，能够实现非常低的RDS(ON)、总体栅极电荷(QG)和米勒电荷(QGD)，从而获得出色的传导和开关性能及热效率。相比传统的MOSFET封装，其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。
飞兆半导体提供业界最广泛的具有增强热性能的超紧凑薄型1.6×1.6mm和2×2mm MicroFET器件。这些易于使用、节省空间的高性能MOSFET是便携应用的理想选择。
价格：见下表
供货：现提供样品
交货期：收到订单后12周
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