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瑞萨科技上市采用新构造的蓝紫色半导体激光器二极管NV4A61MF
http://cn.newmaker.com 4/29/2010 11:08:00 AM  日经BP社
瑞萨科技上市采用新构造的蓝紫色半导体激光器二极管NV4A61MF瑞萨科技宣布将涉足蓝光光盘(BD)用蓝紫色激光器(波长为405nm)市场。为此,该公司已经开始样品供货采用新构造的蓝紫色半导体激光器二极管“NV4A61MF”,特点是能够在最高85℃下实现可支持8倍速写入的350mW光输出功率。

此次开始样品供货的激光器二极管采用了在氮化镓(GaN)晶圆内部通过成膜技术制作用于向发光部传输电流的电极,以及激光传输通道——光波导的“Inner Stripe构造”。原来的“脊形波导(Ridge Waveguide)构造”从晶圆表面开始,通过干法蚀刻加工形成电极和光波导。此时会通过干法蚀刻来加工决定激光器特性的熔覆层(Clad Layer),但只能以10nm级控制蚀刻厚度,这是导致激光器特性不均的原因。而此次的Inner Stripe构造代替干法蚀刻,采用简单的成膜技术来形成电极和光波导,可以采用成膜技术中的结晶成长法,通过1nm级来控制膜厚。同时,为了使电流集中到发光部而设置的电流阻挡层材料,采用了散热性较高、相当于激光来说是透明的氮化铝(AlN)。芯片散热性改善了20%。

上述改良结果在激光器特性方面实现了(1)可在最高85℃的温度下稳定维持350mW(脉冲振荡)的光输出功率;(2)从低输出功率到高输出功率的范围内,电流和光输出功率特性均具有出色的直线性;(3)可将播放BD时的课题——激光器噪声(输出功率的起伏)降至1/3以下(比该公司原产品改善了5dB/Hz)等。此外,连续振荡时的光输出功率为175mW,阈值电流为35mA,工作电流为160mA(75mW连续振荡时),光束发散角度在水平方向为9度,在垂直方向为19度。

该产品的样品价格为2000日元,预定将从2010年8月开始量产,在2011年夏季将量产规模提高至100万个/月。今后,将在2010年12月投产输出功率更高的420mW产品(可通过双层光盘实现12倍速写入)。


此次与原来的激光器二极管的构造(出自瑞萨科技的提供资料)

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