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Vishay Siliconix推出4款600V MOSFET 继续扩展Super Junction FET®技术 |
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| http://cn.newmaker.com
1/26/2010 9:04:00 AM
佳工机电网
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 功率MOSFET采用TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装，导通电阻仅有0.190Ω
宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 1 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)具有600V的电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.190Ω。低RDS(on)意味着更低的导通损耗，从而在液晶电视、个人电脑、服务器、开关电源和通信系统等各种电子系统中减少功率因数矫正(PFC)和脉宽调制(PWM)应用的能量损耗。
除低导通电阻之外，这些器件的栅电荷只有98nc。栅电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值(FOM)，这些器件的FOM可低至18.62Ω*nC。
为可靠起见，这些器件均进行了完整的雪崩测试，具有很高的重复(EAR)雪崩能量。新的MOSFET可处理65A的峰值电流和22A的连续电流。这四款器件均具有有效输出容值标准。
与前一代600V功率MOSFET相比，新器件改善了跨导和反向恢复特性。这些MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。
新款Super Junction FET MOSFET现可提供样品，将于2010年第一季度实现量产，大宗订货的供货周期为八周至十周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
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