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Vishay Siliconix推出20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET |
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| http://cn.newmaker.com
11/23/2009 8:25:00 AM
佳工机电网
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 Vishay Siliconix最新推出的P沟道功率MOSFET的导通电阻不仅为业内最低，更将之前的最低纪录减小了近50%之多
这款20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET具有业内最低的导通电阻，在紧凑的2mm x 2mm的占位面积内实现了从18mΩ@4.5V至65mΩ@1.8V的导通电阻
宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 11 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半。
SiA433EDJ具有超低的导通电阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和65mΩ。在4.5V和2.5V下，这些数值比最接近的竞争器件小40%和30%。
新的MOSFET也是唯一同时具有12V栅源电压和可在1.8V额定电压下导通的20V器件。这样就可以将该器件用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压导致的更高栅极驱动电压波动的应用，同时在采用更低输入电压的应用中提供更安全的设计。
SiA433EDJ可以用作手持设备，如手机、智能手机、PDA、MP3播放器中的负载、电池和充电开关。MOSFET的低导通电阻意味着更低的导通损耗，节约能量并延长这些设备中两次充电之间的电池寿命。SiA433EDJ的尺寸只有TSOP-6封装的一半，却能提供近似的导通电阻，其紧凑的PowerPAK SC-70封装可将节约出来的电路板空间用于其他产品特性，或是实现更小的终端产品。
为减少ESD导致的故障，器件内置了一个齐纳二极管，使ESD保护提高到1800V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规范，符合RoHS指令2002/95/EC，通过了完整的Rg测试。
新的SiA433EDJ TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，将于2010年第一季度实现量产，大宗订货的供货周期为十四周至十六周。
VISHAY SILICONIX简介
Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率 MOSFET 和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix 的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型 MOSFET 和业内第一个小型的表面贴装的功率型 MOSFET（LITTLE FOOT®）。
创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率 MOSFET 的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能（PowerPAK®）和更小空间（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封装选择。除了功率 MOSFET 外，Vishay Siliconix 的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix 功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。
Siliconix 创建于 1962 年，在 1996 年 Vishay 购买了其 80.4% 的股份使其成为 Vishay子公司。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
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