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NEC开发出支持28nm以后SoC的LSI内置封装技术

http://cn.newmaker.com 11/7/2009 2:36:00 PM 日经BP社

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NEC和NEC电子宣布，开发出了支持28nm工艺以后的窄间距、多引脚焊点（Pad）SoC的内置LSI封装技术“SIRRIUS（Seamless Interconnect for Re-Routing LSI Using Substrate Technology）”。两公司在美国加利福尼亚州圣荷西（San Jose）举行的“42nd International Symposium on Microelectronics （IMAPS 2009）”上就该项技术发表了演讲。

两公司应用LSI内置技术、细微布线形成技术以及高精度配备和位置测量技术，开发出了此次的LSI内置封装技术。此项技术主要用于高功能游戏机、FPD电视机和DVD录像机等的图像处理部分配备的新一代高集成SoC。使用该技术，与此类SoC封装中原来一直使用的FCBGA封装相比，可大幅削减封装厚度。该技术的要点如下。

（1）以80μm间距4列的区域配置，成功内置了1200焊点的LSI，实现了封装的薄型化。在封装图案有5层,宽15μm、为31mm见方面积时，厚度可控制在0.79mm。而这相当于前述SoC上使用的附带散热片FCBGA封装的1/4左右。另外，此次在LSI内置工艺中采用了低粘度的环氧树脂，从而将芯片上的树脂膜厚度优化至20μm。由此，无需重新设计内置用腔体（Cavity）等，通过一次层压工序即可实现LSI的嵌入。

（2）通过将铜板用作基础底板（Base Plate），实现了薄型且高可靠性LSI内置封装。用厚0.5mm的高刚性铜板作为基础底板（支持体），即便配备厚度仅50μm的LSI，仍可确保高可靠性。例如，评测封装到主板上之后的二次封装的可靠性时，大至31mm见方、900引脚的封装尺寸，在-40℃/+125℃温度循环试验中仍达成了1000次循环。

（3）通过简洁的布线底板工艺，实现了低成本、无铅LSI内置封装。此次，构筑了以激光通孔连接所有封装布线层等多层布线的简单工艺流程。由此，可以不必像原来那样采用多种工艺实现封装，而是在细微连接下实现多层化。结果，与原来的FCBGA封装相比，可削减使用材料和工艺装置，实现了简洁工艺和低成本。另外，还一并实现了整个封装的完全无铅化。

NEC的研究部门此前也曾发布过此次的技术。例如，曾在9月10日和11日于日本福冈大学举行的“第19届微电子研讨会（MES 2009）”上发表过演讲。与那时相比，此次大幅削减了间距。在MES 2009上发布时，间距为250μm左右。而此次降至80μm。在MES 2009上其通孔是通过研磨形成的，而此次则是使用UV-YAG激光开了直径为30μm的通孔。另外，此次不仅是NEC的研究部门，NEC电子也一同进行了技术发布，可以看出此项技术已经接近实用化。（记者：小岛郁太郎）

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