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夏普开发出光输出功率达500mW的BD用半导体激光器 |
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| http://cn.newmaker.com
9/16/2009 11:47:00 AM
日经BP社
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夏普开发出了脉冲振荡时的光输出功率高达500mW的蓝紫色半导体激光器。面向记录型蓝光光盘装置，振荡波长为405nm。对于3层或4层光盘能以8倍速写入。该公司于2009年6月开始量产脉冲功率为320mW的蓝紫色半导体激光器。另外，由于3层以上蓝光光盘的规格尚未确定，因此量产时间未定，“不过半导体激光器本身已面向实用化做好准备”（夏普）。
此次，光输出功率得以提高的主要原因在于谐振器端面处理。半导体激光器的结晶端面通常用电介质膜保护。此次在半导体激光器端面和电介质膜之间通过溅射形成了氮氧化铝（AlON），实现了基础的半导体激光器结晶和AlON结晶的生长轴整齐的外延生长。
过去只是用非晶质电介质膜覆盖半导体激光器的结晶。因此存在的课题是，结晶端面吸收激光器的振荡光，结晶因吸收热量而劣化，不再振荡。
激光器的可靠性也已得到证实。在＋80℃环境下，以脉冲宽度30n秒输出500mW，能够工作1000小时以上。
有关详情将在“第70届应用物理学会学术演讲会”上发表。演讲序号为11p-X-8。
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