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恩智浦推出全球首款低于1毫欧、采用Power SO8封装的MOSFET
http://cn.newmaker.com 7/14/2009 8:19:00 AM  佳工机电网
恩智浦推出全球首款低于1毫欧、采用Power SO8封装的MOSFET恩智浦半导体(NXP Semiconductors,由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装(无损耗封装:LFPAK)中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体,可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势,如电源OR-ring、电机控制和高效同步降压器等。

恩智浦资深国际市场产品经理John David Hughes先生表示:“在MOSFET制造技术领域,改善性能是一场旷日持久的竞赛。我们在新Trench 6工艺中采用创新技术,进一步减小了导通电阻。对客户而言,这一新的Trench技术为他们带来许多优势,例如:提高的硅技术开关效率、出色的电阻和热阻封装性能。恩智浦Power-S08 (LFPAK) 封装与广为使用的Power SO-8 PCB封装相兼容。”

领先全球的恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2–25YL,采用Power-S08 (LFPAK)封装时25 V MOSFET的RDSon是0.9毫欧(典型值),30 V MOSFET的RDSon达到1.0毫欧(典型值)。

除了全球最低RDSon MOSFET之外,恩智浦还宣布推出面向电源、电机控制和工业市场的新产品系列。该系列产品的工作电压为25 V、30 V、40 V和80 V,采用Power-S08 (LFPAK)和TO220封装。

上市时间:

PSMN1R2–25YL现已上市。

有关恩智浦新型Trench 6 MOSFET器件的数据手册和更多信息,请访问: http://www.nxp.com/infocus/topics/lowest_rds_mosfet/index.html

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