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Vishay Siliconix推出业界最小导通电阻的双P沟道功率MOSFET |
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| http://cn.newmaker.com
4/30/2009 9:48:00 AM
佳工机电网
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 该器件将第三代P沟道TrenchFET®技术延伸至超小封装，在2mmx2mm的占位面积内用两个20V P沟道功率MOSFET将导通电阻最多可减少44%
宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 4 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiA921EDJ，其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的，所采用的热增强PowerPAK® SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。
SiA921EDJ在4.5V和2.5V条件下分别具有59 mΩ和98 mΩ的超低导通电阻。第三代TrenchFET® MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗，使器件在开关时比市场上任何双P沟道功率MOSFET所消耗的能量都要少。
而其他最接近的P沟道器件在4.5V栅极驱动电压、大于12V的栅源额定电压下的导通电阻为95mΩ，在2.5V驱动电压下的导通电阻为141mΩ，分别比SiA921EDJ高38%和44%。PowerPAK® SC-70封装的占位面积为2mmx2mm，只有TSOP-6封装尺寸的一半，而导通电阻则不相上下。
通过推出SiA921EDJ，Vishay将第三代P沟道TrenchFET®技术应用到适用于手持式电子产品的超小封装中。新器件可用于DC-DC降压转换器，以及手机、智能手机、PDA和MP3播放器等便携式设备中的负载、功放和电池开关。SiA921EDJ更低的导通电阻意味着更少的功耗，节约电能并延长这些设备在两次充电期间的电池寿命。
SiA921EDJ TrenchFET®功率MOSFET 符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。该器件现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为10至12周。
VISHAY SILICONIX简介
Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®) 和更小空间(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。
Siliconix创建于1962年，在1998年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及提供“一站式”服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
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