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华虹NEC的0.13微米嵌入式闪存工艺取得进一步成果
http://cn.newmaker.com 11/4/2008 8:52:00 AM  佳工机电网
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纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)日前宣布,与多家智能卡行业龙头设计公司的合作顺利进行。基于华虹NEC的0.13微米嵌入式闪存工艺(“EF130”)生产的SIM卡产品完成产品的可靠性测试并进入量产阶段,从而使EF130工艺的发展进入一个新的阶段。

EF130嵌入式闪存工艺的设计平台面向智能卡,MCU和SoC等产品。其工艺平台拥有中大容量的嵌入式闪存IP,齐全的模拟IP,高速静态随机存储器和低功耗设计库,高性能的IO单元以及完善的产品和测试方案。产品平台具备拓展性的1.6~5.5V宽电压支持能力。嵌入式闪存工艺在工业温度范围内已达到业界领先的可靠性指标,运用该技术平台开发的产品的擦写寿命超过30万次,数据保存时间至少可达10年。该工艺同时具有极低的静态功耗,相当于同类工艺约10%的静态功耗,其特性使产品更具竞争优势。

嵌入式非易失性存储器工艺平台是华虹NEC战略技术发展方向之一,通过多年成功的市场运作积累,华虹NEC确立了在嵌入式非易失性存储器领域的领先地位,可为客户提供高品质高附加值的晶圆代工服务。华虹NEC将继续加强该工艺平台的发展,与客户进行深度合作,在智能卡领域携手前进。

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