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三洋电机上市导通电阻仅10.5mΩ的锂电池保护电路MOSFET
http://cn.newmaker.com 8/5/2008 6:09:00 PM  日经BP社
三洋电机上市导通电阻仅10.5mΩ的锂电池保护电路MOSFET三洋电机将于2008年9月起依次量产具有导通电阻小等特点的锂离子充电电池保护电路用n型MOSFET“ECH8”、“EMH8”及“EFCP”3个系列11种产品。主要面向手机等使用一块或串联使用两块锂离子充电电池的用途。由于导通电阻低,除可以提高电池驱动时间外,还可以支持快速充电等。

新产品的特点是,通过采用三洋电机第四代沟道技术(电池间距为2.1μm,设计规则为0.25μm)的芯片,降低了导通电阻。并且,ECH8和EMH8两个系列未采用线焊(Wire Bonding),而是采用通过铜引线连接的“夹焊(Clip Bonding)”,从而使外形电阻降至1mΩ以下,降至原来的1/10。由此,“ECH8651R”(外形尺寸2.9mm×2.8mm×0.9mm,耐压24V)实现了在加载4.5V电压时的导通电阻(RDSon)仅为10.5mΩ。

外形尺寸2.9mm×2.8mm×0.9mm的ECH8系列产品共有5种。导通电阻为10.5m~18mΩ。耐压有24V和30V品。EMH8系列共有3种产品。外形尺寸为2.0mm×2.1mm×0.75mm,宽度和高度比ECH8小,能够封装在宽度小于3mm的保护电路底板上。导通电阻为19~28mΩ。有耐压20V、24V及30V品。

另一方面,EFCP系列采用了可直接通过锡球封装芯片的CSP结构。因而宽度和高度比EMH系列更小。EFCP系列有1款外形尺寸为1.61mm×1.61mm×0.55mm和2款外形尺寸为1.81mm×1.81mm×0.55mm的产品。EFCP系列在芯片上将充电用MOSFET和放电用MOSFET连接起来,以4端子封装。

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