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电池/开关电源 |
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美国IR上市7款耐圧30V、低导通电阻的小型功率MOSFET |
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| http://cn.newmaker.com
5/30/2008 4:36:00 PM
佳工机电网
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 美国International Rectifier（IR）上市了7款耐压30V的功率MOSFET。7款均为n型通道。采用了该公司“DirectFET”的封装技术，封装面积比标准型SO-8封装缩小了40％。另外，高度只有0.7mm。用于笔记本电脑及服务器配备的微处理器、图形处理器及内存等供电的电源电路。
“IRF6721S”、“IRF6722S”及“IRF6722M”3款的特点是栅极电荷及栅极-漏极电荷较低。“IRF6724M”、“IRF6725M”、“IRF6726M”及“IRF6727M”4款的特点是导通电阻较低。10V电压时的导通电阻、栅极电荷及栅极-漏极电荷方面，IRF6721S为5.1mΩ、11nC、3.7nC；IRF6722S为4.7mΩ、11nC、4.1nC；IRF6722M为4.7mΩ、11nC、4.3nC；IRF6724M为1.9mΩ、33nC、10nC；IRF6725M为1.7mΩ、36nC、11nC；IRF6726M为1.3mΩ、51nC、16nC；IRF6727M为1.2mΩ、49nC、16nC。
所有产品的工作接合部温度范围均为－40～＋150℃。在美国，1万个批量购买时，各款单价为0.60～1.5美元起。例如，7款中价格最低的IRF6721S为0.60美元起，最高的IRF6726M为1.5美元起。
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