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不使用外部存储器便可扩大MOS图像传感器动态范围的技术
http://cn.newmaker.com 2/13/2008 10:34:00 AM  日经BP社
不使用外部存储器便可扩大MOS图像传感器动态范围的技术松下电器产业宣布开发出了明暗比(动态范围)达到140dB(1000万倍)、可实时拍摄影像的MOS图像传感器电路技术。原来的普通图像传感器的动态范围为60dB(1000倍)左右。今后计划将此次开发的电路配备在该公司的“vMaicovicon”图像传感器上。主要用于车载摄像头以及监控摄像头等。

此次开发的产品在所有像素中内置了动态范围扩大电路。动态范围通过以下处理扩大。首先,对一个场景,变换曝光时间,拍摄三种图像。然后,将上述图像以像素为单位进行合成。这时,影像信号的获得及合成在所有像素中同时进行。输出之前,影像信号一直保存在像素内的存储元件中,然后按行依次向外输出。此次开发的产品在像素内形成保存特性出色的存储元件。这样,可以实现“全周快门”,可以输出在所有像素内同时获得的信号。

改变曝光时间拍摄多张图像、然后通过合成来扩大动态范围的方法已经被广泛使用。但是,原来是将多张图像存储在外部存储器上后进行合成的。因此,难以实现流畅的影像。另外,使用外部存储器导致成本增加。而此次开发的产品通过改进合成电路的结构,利用1个存储元件就可以支持多种影像信号。另外,通过内置存储元件,还可以提高信号处理速度。

该公司将在2008年2月3~7日于美国旧金山举行的“ISSCC 2008”上公布此次的开发成果。

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