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超密度记忆存储器打破摩尔定律 |
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| http://cn.newmaker.com
1/30/2007 11:06:00 AM
佳工机电网
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 据1月25日《自然》报道，美国科学家研制出一种最新型的超密度记忆存储装置，尽管体积只有白细胞那么大，存储《独立宣言》全文却绰绰有余。这表明科学家们在研制比现行硅晶片计算机体积更小而存储能力更加强大的分子计算机方面迈出了重要的一步。
在这种16万比特的记忆存储器上，400根硅丝与400根钛丝交叉排列，每根丝直径仅有16纳米，每两根交叉的丝中间还夹着一层哑铃状的分子开关。
这项研究由加州大学洛杉矶分校纳米系统科学院的J. Fraser Stoddart 和加州理工学院化学系的Jim Heath合作完成。
按照计算机行业的摩尔定律，计算机芯片每年的集成度会提高一倍。这意味着电子产业本应当在2020年才能达到这种新型的存储器的集成度。但是从目前这种集成技术看来，该时间有可能提前到2013年。
Heath说：“我们不是要展示一种强大的技术……我们的目的是要显示大规模可运行的电子电路可以有极高的集成度，这比以前最乐观的估计还提前了10到15年。”Stoddart说：“除了分子电子计算机，分子开关还将带来其它技术革新。现在预测哪些领域会受益还为时过早，不过很可能包括诸如医疗、替代能源和国防安全等领域。”
图片中心的蓝灰色包含16万比特的记忆矩阵，附近的绿色圆圈为白细胞。
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