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稳压器/整流器 |
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瑞萨上市第2款DrMOS规格稳压器 |
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| http://cn.newmaker.com
12/1/2006 12:56:00 PM
佳工机电网
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瑞萨科技上市了面向微处理器（MPU）的稳压器“R2J20602NP”。这是该公司依据美国英特尔提倡的封装产品规格“Driver-MOSFET integrated SiP（DrMOS）”的第2款产品。按照DrMOS的要求，在无引线的高散热性表面封装型小型单个封装中集成了驱动IC以及高端开关和低端开关使用的2个MOS场效应管。通过改变工艺及改进封装构造，提高了输出电流及电力损失等方面的性能。
该IC是凭借新开发的高散热性低损失封装以及优化了功率MOS场效应管导通／截止控制的驱动IC等实现的。通过将驱动IC和MOS场效应管集成在1个封装中，减小了布线寄生电感，因此可支持高频工作。内部连接使用无线构造的铜板，减小了阻抗。可进行高速开关，实现了外置电感器及电容器等被动元件的小型化，有利于减少部件数量。最大工作频率为2MHz。
最大输出电流达到了业界最高的40A。在大电流经路中使用了占封装背面一多半的端子，以此来解决散热问题。
MOS场效应管采用业界性能最高的瑞萨自主产品。在低端内置肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），减少了开关时的损失。电力损失比原来减少20％以上。在开关频率为1MHz、输出电压为圧12V、输出电压为1.3V时，最大效率约为89％。在该条件下输出电流为25A时的电力损失为业界最小的4.4W。
封装采用8mm×8mm×0.95mm的56端子QFN，与上一代产品“R2J20601NP”具有针脚兼容性（0.5mm间距）。今后还将针对CPU、FPGA及内存等的大电流低电压化的发展，面向在电源方面对高速响应、高效率及小型化要求更高的刀架式服务器及硬盘，扩充产品线。
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