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富士通采用GaN类半导体开发高速高耐压HEMT |
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http://cn.newmaker.com
10/26/2006 11:14:00 AM
佳工机电网
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日经BP社2006年10月26日报道 富士通和富士通研究所为毫米波频段无线通信设备等开发出了采用GaN类半导体的HEMT(GaN类HEMT)(发布资料)。耐压高达190V,“在用于毫米波频段的产品中耐压值为全球最高”(富士通)。预计用于信号发送放大器。2010年前后投入实用。最大振荡频率(fMAX)超过150GHz。原来的毫米波频段GaN类HEMT如要将fMAX达到150GHz以上,耐压只有60V左右。此次的HEMT在2006年10月23日~25日于日本京都举办的“International Workshop on Nitrides 2006”会议上进行了技术发表。
用于毫米波频段的HEMT目前普遍使用GaAs类半导体。与GaAs类HEMT相比,GaN类HEMT的特点是耐压要高出1位数。从GaAs类HEMT来说,用于毫米波通信的放大器功率只有数W,而GaN类HEMT甚至能够达到100W以上。富士通和富士通研究所过去一直在为手机基站设备等开发GaN类HEMT。
此次的毫米波频段用HEMT与原来的毫米波波段用HEMT相比,有2点重要的不同之处:(1)在n型AlGaN层的基础上追加一层n型GaN层;(2)将栅电极结构由原来的T型变成了Y型。经过第(1)点的改进后,栅极泄漏电流减小了,能够向HEMT施加更高的电压,因而耐压提高了。第(2)点不仅可降低栅电极电阻,而且还有助于提高强度。降低栅电极电阻,可使HEMT的工作频率得到提高,从而提高了fMAX。而栅电极强度的提高,则使得栅电极在HEMT制作过程中不易受到损坏。
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