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三星采用60纳米工艺产全球最快闪存芯片
http://cn.newmaker.com 6/29/2006 9:51:00 AM  佳工机电网
北京时间6月28日消息:据国外媒体报道,韩国三星电子日前表示,公司采用60纳米工艺,成功开发出了一款2GB的OneNAND闪存芯片,并表示这是全球速度最快的内存设备。

这款闪存芯片的性能是现有OneNAND芯片性能的一倍,其数据写入速度从每秒9.3MB提升至每秒17MB。

三星表示,该芯片可广泛应用于从多媒体手机到数码相机、可移动内存卡、个人电脑以及数字电视等产品中。

OneNAND芯片可以交叉存取数据,具备有较高的性能,每块芯片都可独立地与系统进行交互操作。相互连接的芯片数量越多,其处理的数据量也就越大。三星称,当8块这款2GB内存芯片连接在一起的时候,芯片的数据写入速度可以达到36MB。

这种闪存芯片还可用作缓存。现在OneNAND内存就专门用作混合硬盘的缓存。三星在上月举行的微软Windows 硬件工程大会上展示了一款商用混合型硬盘样品。

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