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英特尔未来15年新技术展望
http://cn.newmaker.com 10/23/2004 5:58:00 PM  佳工机电网
英特尔北京时间10月22日宣布,该公司正在研发一系列新型技术,以为2013年及以后的芯片产品开发做准备。英特尔正在研发的新技术包括:三栅级晶体管(tri-grate)、碳纳米管(carbon nanotubes)、硅纳米线(silicon nanowires)、III-V 材料(III-V materials)、自旋电子(spintronics)、相变逻辑设备(phase change logic devices)、接口设备(interface devices)以及光开关(optical switches)。

英特尔宣布,该公司实验室中已经研发出早期碳纳米管,以及线宽仅有5纳米的硅纳米线设备。英特尔研究的这些新技术都是为2013年以后的芯片产品开发准备的,届时目前广泛应用的块硅(bulk silicon)将会过时,不能满足未来芯片生产的需求。

英特尔方面的人士普遍认为,随着研发的继续深入,摩尔定律在一段时间内将会继续生效。按照摩尔定律,单位面积芯片上的晶体管数量大约每18个月增加一倍,多年以来,芯片产业一直很好的贯彻着这一定律。然而随着芯片技术的不断深入,新产品的研发速度越来越缓慢,很多分析人士认为摩尔定律已经失效。英特尔的研究人员保罗-加尔吉尼(Paolo Gargini)表示:“摩尔定律将会在未来15到20年内继续生效。”

不过英特尔方面也承认块硅技术在发展到22纳米时将会达到上限,加尔吉尼称:“上限的确存在,这正是我们努力研发新技术的最主要原因。”英特尔技术与生产部门研发主管金-大卫(Ken David)表示:“未来所有的一切都将围绕这提升晶体管的电子迁移率展开。”

英特尔预计,碳纳米管、硅纳米线以及基于III-V材料的设备将会在2013年到2019年出现。而短期来看,最早出现的将是三栅级晶体管,英特尔预计45纳米、32纳米以及22纳米的三栅级晶体管将于2007年、2009年以及2011年出现。

2020年以后,英特尔的研究将围绕着自旋电子、相变逻辑设备、接口设备以及光开关进行。

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