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飞利浦强化车载混载闪存 |
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http://cn.newmaker.com
6/1/2006 1:23:00 PM
日经BP社
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荷兰皇家飞利浦电子将加快推进以车载微控制器和非接触IC卡应用领域为中心的混载闪存制造工艺的提高。2006年第1季度继正在量产的180nm工艺之后已经开始生产140nm工艺产品,同时现已着手准备向90nm工艺过渡。
该公司180nm工艺混载闪存在车载领域已获得“Grade-1”认证。产品厂商可保证在车载领域所要求的125℃高温条件下正常工作。其混载闪存之所以能耐高温运行,“原因是耗电量低”(飞利浦)。就该公司低耗电技术详情,记者日前采访了该公司负责技术研发的弗朗斯?李斯特(Frans List)。
问:飞利浦混载闪存的特点是什么?主要用途又是什么?
李斯特:最大的特点是耗电量低。因此,其主要用途是对耗电量要求严格的车载微控制器和非接触IC。当然,包括便携终端在内的数字民用产品也是重要的用途之一。
问:芯片耗电量是多少?请您具体透露一下。
李斯特:180nm工艺16Mbit产品的写入与删除电压分别为1.5V和1.2V,单位工作频率的耗电量为1.62mW/MHz。
问:是利用什么单元技术实现低耗电的?
李斯特:之所以能实现低耗电,原因在于它是以F-N(Fowler-Nordheim)穿隧方式写入数据。这种方式由于不在构成单元的MOS FET源-漏极之间施加电压,因此与混载闪存领域普遍采用的CHE(沟道热电子)注入方式相比,可降低写入电流。
问:在写入速度上与CHE注入方式相比是否处于劣势?
李斯特:以单元为单位的写入速度的确是CHE注入方式更快一些。不过,F-N穿隧方式由于能够以由多个单元构成的单元块进行写入,因此容量越大,在写入速度上与CHE注入方式相比就越具优势。
问:贵公司采用的是由数据保存用MOS FET和单元选择用MOS FET构成一个单元的“2T型”。从芯片面积上来讲,与“1T型”相比是否处于劣势?
李斯特:并不处于劣势。16Mbit产品的芯片面板为19mm2,实现了接近1Mbit/mm2的集成密度。这是因为它的耗电量低,与CHE注入方式的1T型能够减小升压电路的设计尺寸。在制造工艺更尖端的混载领域,升压电路在整个芯片中所占的面积较大,单元面积的增加可通过升压电路的小型化加以补偿。
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