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日本开发出高密度硬盘磁头用TMR元件
http://cn.newmaker.com
5/13/2006 9:29:00 AM
佳工机电网
日经BP社2006年5月12日报道 日本产业技术综合研究所(产综研)与日本佳能Anelva公司开发成功了可支持记录密度为500Gbit/平方英寸的硬盘磁头用TMR元件。由于使用现有的溅镀设备开发,所以向硬盘厂商移交制造设备等更容易。该公司将在2006年5月10日于美国圣地亚哥召开的国际磁技术会议“Intermag 2006”上进行技术发表(演讲序号:DD-08“Ultra-Low Resistance-Area-Product in CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junctions”)。
此次开发的TMR元件,磁阻比(MR)为57%,单位面积阻值为0.4Ωμm2。产研所在05年4月召开的“Intermag 2005”上发布了MR比为140%、阻值约为0.4Ωμm2的TMR元件的开发结果。当时硬盘厂商曾要求说,要实现500Gbit/平方英寸的的面记录密度,MR比只要高于50%即可,而阻值希望能降至1Ωμm2以下。为此,“此次开发是维持MR比在50%以上的前提下,尝试到底能把阻值降低到何种程度”(产研所电子工业学研究部门汤浅新治)。
05年的试验结果是如果把阻值降至1Ωμm2以下,MR比几乎接近为0。要想降低阻值,必须缩小形成隧道阻挡层氧化镁(MgO)的厚度。然而一旦氧化镁层厚度减小,下部CoFeB电极表面会发生氧化,导致氧化镁的结晶质量下降,MR比也会随之降低。
此次,为防止电极表面氧化,针对生产设备内存在微量水分子这个原因,在溅镀设备壁面涂布了吸附水分子的钽(Ta)元素。氧化镁金属膜成膜之前,追加厚度为50纳米的钽元素的成膜工艺。钽的成膜时间为2~3分钟。
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