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NEC开发出LSI内的光数据传送基本技术 |
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| http://cn.newmaker.com
4/19/2006 9:45:00 AM
日经BP社
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4月19日 NEC宣布开发出了面向LSI芯片内光数据传送的硅纳米光子学基本技术。具体来说，是将以前开发的硅纳米光电二极管和超小型放大器组合，将光电转换功能元件的安装装面积减小至10μm×10μm左右。该公司称，这样的大小“可以配备在LSI上”。
此项技术和光波长多重技术并用，可以实现用一根1μm以下的光缆线以低耗电、高速度，传送比目前使用的铜布线更多的信息量。NEC表示通过开发本项技术，可以大幅度提高实现LSI芯片光数据传送及高速光时钟分配的可能性。
据NEC介绍，在光布线技术中，光电转换元件和高速放大器带来的光电转换部的小型化、高速化、低耗电已成为重要的技术开发课题。此前，作为硅光电转换元件，该公司开发出了大小在数μm见方以下，可支持500GHz以上的纳米光电二极管。另一方面，由于高速放大器结构复杂，需要数十μm见方的安装面积。
此次，通过将纳米光电二极管电量设置为非常小的数值（连接容量～10aF），证实了可将高速放大器的安装面积减小2位数。另外，通过此电路和纳米光电二极管并用，也可以实现用较小的耗电量进行高速光电转换。
除上述技术外，为实现在LSI中采用通过向光布线内部发送多种不同波长光信号、大幅增加传送数据量的光波长多重技术，NEC正在进行以下研究：（1）以微细光导波路形成比原来减小一个数量级的100μm级光分合器的技术。（2）利用将电信号转换为光信号的调制器比原来减小一个数量级、仅为100μm级的气胶成长法开发陶瓷电气光学膜形成技术等。通过上述的技术开发，“大幅度提高了在LSI芯片内应用光布线技术的可能性，该技术可以低耗电、高速度传送现在铜布线100倍以上信息量”。
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