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电子元器件及材料 |
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硅基镓氮固态光源关键技术取得重要进展 |
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| http://cn.newmaker.com
4/14/2006 10:22:00 AM
佳工机电网
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科学技术部网2006年4月14日报道 由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领先地位，并在全球率先实现了小批量生产。
目前市场上出售的氮化镓发光二极管都是以蓝宝石或碳化硅作为衬底，其基本专利分别为日美发达国家所垄断。以硅作为衬底生长氮化镓发光材料是业界的梦想，但因为存在诸多难以克服的困难，全球许多研发机构无功而返。南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心在863计划的支持下，成功地解决了国际上存在的硅衬底氮化镓发光材料龟裂、发光二极管亮度低、工作电压高、可靠性差等问题，研制的硅衬底氮化镓发光二极管材料的质量和器件性能均处于国际同类材料与器件中的领先水平，生产的硅衬底蓝光LED 6-9毫瓦，达到了市场上蓝宝石或碳化硅衬底GaN蓝光LED中等水平，其中电学性能和可靠性可以和世界顶尖级蓝宝石或碳化硅衬底GaN发光器件媲美。目前产能达到了40万只/天，在制造成本、可靠性等方面具有明显优势。此产品的研制成功，改变了日美等发达国家垄断LED核心技术的局面，走出了一条有我国特色的LED发展之路。
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