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瑞萨新型SiP技术在内置芯片间高速传输
http://cn.newmaker.com 3/6/2006 3:02:00 PM  日经BP社
日本瑞萨科技面向新一代高性能数字终端和高速通信设备,开发出了全新结构的SiP(系统级封装)技术。具体来说,就是能够以间隔为30μm的微型焊接凸起连接内置芯片,即叠层芯片(chip on chip,CoC)技术。CoC就是指将2枚芯片的电路面相对合在一起,使用排列间隔非常小的微小电极进行连接。由于能够以更短的布线长度在叠层芯片之间进行多点连接,因此便于提高芯片之间的数据传输速度。力争2006年第4季度达到实用水平。

瑞萨科技此次大体开发了3项关键技术。第一是在连接微小间隔焊接凸起时不使用焊剂,而采用无铅焊锡的高可靠性、低损伤性熔融焊接技术。焊剂是焊接辅助材料,其目的是去除焊锡表面的氧化膜,提高焊锡的附着性。不过,使用微小间隔焊接凸起时,过去一直存在着焊剂残留容易导致可靠性下降的问题。此次,瑞萨科技已经证实,在不使用焊剂的情况下能够以倒装方式实现每芯片10000万焊接凸起的多引脚连接。

第二是指将熔融的微小焊球以液滴状喷射出来,形成焊接凸起的焊锡供应技术,即微小熔融焊锡喷射法。利用此技术,不仅可取消过去在形成焊接凸起时必须使用的掩膜,而且还可混合使用尺寸不同的微小焊接凸起。

第三就是指,能够在外形尺寸和该公司老产品FC-BGA(flip chip ball grid array,倒装球栅阵列)相同的封装上集成多个利用上述技术以CoC方式连接的芯片。FC-BGA原本就具有数据传输速度快,多引脚连接和高散热的优点。在此基础上,可通过采用SiP方式增加内置芯片数量。此次开发的SiP组装过程分如下2个阶段进行。首先将通过形成微小焊接凸起将厚度降至50μm的子芯片与SoC等基础芯片以CoC方式连接起来。然后,利用和过去的FC-BGA相同的方法将配备子芯片的基础芯片倒装连接到底板上。

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