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X-FAB在180nm BCD-on-SOI平台上新增非易失性存储器功能
http://cn.newmaker.com 10/17/2019 5:00:00 PM  佳工机电网

X-FAB在180nm BCD-on-SOI平台上新增非易失性存储器功能

基于公司成熟的SONOS技术,新增的Flash和EEPROM为汽车,医疗和工业领域带来了许多新的可能性

2019年10月17日, 比利时Tessenderlo

全球领先的模拟/混合信号和专业代工厂商X-FAB Silicon Foundries, 今天宣布在广泛使用的XT018 (https://www.xfab.com/technology/soi/018-um-xt018/) BCD-on-SOI平台上提供基于SONOS的Flash和嵌入式EEPROM。这些非易失性存储器(NVM)的添加将拓宽更多的应用范围,在这些应用中,需要高压额定值和高温承受能力,并且提升运算能力。

越来越多的应用需要基于微控制器(microcontroller-base)的解决方案,其中包括嵌入式Flash和EEPROM与高压(高达100V),高温和抗ESD / EMC能力相结合。EEPROM非常适合需要多次重复编程内存块(在晶圆级,以及在现场应用中)的情况。X-FAB的SONOS技术支持在-40°C到175°C的温度下工作,符合汽车AEC-Q100 “0”级质量标准。

新的X-FAB NVM方案包括一个32kBytes的Flash,以及4kbit的EEPROM。这两种元件均采用了公司的SONOS技术,并充分利用了180nm体硅工艺(XH018)(https://www.xfab.com/technology/cmos/018-um-xh018/) 所展示的可靠性和经验。Flash和EEPROM子块可以在1.8V单电压下工作,并且可以通过共享的同一外设接口独立操作,从而实现最佳的封装。

为确保数据完整性,该NVM方案包含了错误代码校正(ECC)功能,分别在Flash上进行单位校正和在EEPROM上进行双位校正。NVM模块还带有嵌入式测试接口,允许直接操作Flash和EEPROM IP。通过这种方式,客户可以受益于X-FAB的NVM晶圆级测试和封装设备测试功能,以缩短调试和上市时间。

这新增NVM方案仅在XT018基本流程中增加了四个额外的工艺层,特别适合于一系列不同的应用领域,例如汽车,工业,物联网和医疗。此外,这种BCD-on-SOI提供的超低漏电性能将在物联网的远程自主传感器接口和活体健康监测应用等新兴应用中证明其价值。

X-FAB NVM市场经理Nando Basile表示:“将Flash功能引入我们的XT018平台,为我们在高温下需要智能控制的汽车动力传动系统应用领域提供了明显的优势。” “这也意味着,我们完全有能力应对医疗和工业领域开始出现的众多机遇。”

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