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Cymer公司新技术将把激光功率提高到200W
http://cn.newmaker.com 2/27/2006 9:20:00 AM  日经BP社
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美国Cymer公司日前公布了液浸ArF和EUV光源今后的技术开发战略。液浸ArF方面,以双重曝光为目标,将把ArF受激准分子激光光源的功率逐步提高到200W。至于EUV光源,正在探讨LPP方式的4种选择。

业界普遍认为,为了将液浸ArF寿命延长至32nm工艺(hp32),必须采用分2次对图案进行曝光和加工的双重曝光。这种方式存在吞吐量下降的问题,为了解决这一点,Cymer准备将ArF激光光源的功率由现在的60W提高到200W。由于hp32的技术开发从2009年正式开始,因此“希望能在2008年准备好200W产品”(Cymer公司负责营销的副总裁Patrick J. O'Keeffe)。实现200W产品要靠“MOPA(Master Oscillator Power Amplifier)”技术的发展。

该公司2005年底发布了功率为60W的ArF激光器“XLA 300”。其应用目标是采用NA为1.2~1.3的反射折射型光学系统的液浸ArF曝光设备,为了提高功率,将激光脉冲的重复频率提高了6kHz。将于2006年下半年供货的“XLA 400”将维持6kHz的重复频率,而将脉冲能量提高至15mJ,功率提高到90W。此后准备推出200W产品。激光频谱宽度(spectrum width)在E95(95 percent energy integral)下均为0.25pm。

EUV光源方面,在采用LPP(laser produced plasma)方式的前提条件下,作为激光光源正在探讨XeF或CO2,作为靶材则在探讨Sn(锡)和Li(锂)。在4种组合中,目前最看好的是向锡靶材照射XeF激光的方式。现已利用这种方式实现20W的功率,力争2006年内达到50W。此后逐步提高到100W和200W。

其他公司已经报告过采用锡的DPP(discharge produced plasma)方式获得高功率的事例,但Cymer公司早在1年前就已做出今后很难利用DPP方式提高功率的判断,目前正在致力于LPP方式的开发。DPP方式的“问题是在提高功率以后聚光镜的寿命会缩短”(Patrick J. O'Keeffe)。

此外,该公司宣布,将在曝光模拟领域与美国KLA-Tencor公司进行合作。Cymer将提供光源频谱的详细信息,嵌入到KLA-Tencor公司的曝光优化工具“PROLITH”中。过去则是提供有关激光频谱宽度的单一数据。今后将提供整个频谱颁布的有关数据,以便提高模拟精度。

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