业界普遍认为，为了将液浸ArF寿命延长至32nm工艺（hp32），必须采用分2次对图案进行曝光和加工的双重曝光。这种方式存在吞吐量下降的问题，为了解决这一点，Cymer准备将ArF激光光源的功率由现在的60W提高到200W。由于hp32的技术开发从2009年正式开始，因此“希望能在2008年准备好200W产品”（Cymer公司负责营销的副总裁Patrick J. O'Keeffe）。实现200W产品要靠“MOPA（Master Oscillator Power Amplifier）”技术的发展。
该公司2005年底发布了功率为60W的ArF激光器“XLA 300”。其应用目标是采用NA为1.2～1.3的反射折射型光学系统的液浸ArF曝光设备，为了提高功率，将激光脉冲的重复频率提高了6kHz。将于2006年下半年供货的“XLA 400”将维持6kHz的重复频率，而将脉冲能量提高至15mJ，功率提高到90W。此后准备推出200W产品。激光频谱宽度（spectrum width）在E95（95 percent energy integral）下均为0.25pm。
EUV光源方面，在采用LPP（laser produced plasma）方式的前提条件下，作为激光光源正在探讨XeF或CO2，作为靶材则在探讨Sn（锡）和Li（锂）。在4种组合中，目前最看好的是向锡靶材照射XeF激光的方式。现已利用这种方式实现20W的功率，力争2006年内达到50W。此后逐步提高到100W和200W。
其他公司已经报告过采用锡的DPP（discharge produced plasma）方式获得高功率的事例，但Cymer公司早在1年前就已做出今后很难利用DPP方式提高功率的判断，目前正在致力于LPP方式的开发。DPP方式的“问题是在提高功率以后聚光镜的寿命会缩短”（Patrick J. O'Keeffe）。
