通过利用60GHz频带下可供使用的大宽带，能够实现最大2Gbit/秒的传输速度。由发送IC和接收IC两个芯片组成，均采用130nm工艺的硅锗双极（SiGe Bipolar）CMOS技术生产。其技术内容计划于2006年2月6日开始在美国旧金山举行的“2006年IEEE国际固体电路会议（ISSCC 2006）”上进行发表（演讲序号：10.3）。由该公司华生研究中心（Thomas J. Watson Research Center）的美国Yorktown Heights基地开发。
根据演讲概要，该芯片组的耗电电流方面，接收IC为195mA（电源电压＋2.7V）、发送IC为190mA（电源电压＋2.7V）和72mA（电源电压＋4.0V）。芯片尺寸方面，接收IC为3.4mm×1.7mm、发送IC为4.0mm×1.6mm。在ISSCC上的演讲名称为“A 60GHz Receiver and Transmitter Chipset for Broadband Communications in Silicon”。演讲时间为美国当地时间2月7日。
