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电子元器件及材料 |
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长缨在手，英飞凌深耕功率器件市场 |
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| http://cn.newmaker.com
12/18/2005 3:55:00 PM
佳工机电网
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在功率半导体器件中，MOSFET以其高开关速度，低开关损耗等特点而在各种功率变换，特别是在高频功率变换中扮演着重要角色。目前，MOSFET的发展趋势是向着高耐压和低导通电阻的方向发展，理想的高压开关MOSFET在导通时的导通电阻应为零，相反，在截止状态下，它则应阻断无限高压，防止任何电流通过。而实际上，这是不可能的。通常情况下，如果电压隔离能力提高一倍，导通电阻就会增加四倍，这种物理规律通常被称作硅限制。在降低导通电阻方面，许多公司都进行了有益的尝试，IR公司通过降低沟道电阻、JFET电阻和漂移电阻等措施不断降低导通电阻。英飞凌公司则推出了内建横向电场耐压为600V的COOLMOS，在降低MOSFET的导通电阻方面获得重大进展。与传统的MOSFET相比，这种新型MOSFET还在降低封装尺寸、改善开关特性和抗雪崩击穿能力方面有了明显改善。
自1988年推出该技术以后，英飞凌不断改进该技术，将导通电阻不断降低，目前已经推出多代产品，今年，英飞凌更推出了面向高端服务器应用的CooLMOS CS产品。英飞凌汽车、工业与多元化电子市场经理伍伟明表示：“CoolMOS CS面向高端服务器应用，是目前市场上唯一一种可实现最低导通和开关损耗的MOSFET。与先前的CoolMOS C3系列相比，CS服务器系列可使功率密度提高到25W/inch3以上，并可进一步实现轻载和满载。”
除此之外，英飞凌还推出了封装有将CoolMOS产品和PWM芯片或PFC芯片的CooLSET功率产品，瞄准DVD、机顶盒、LCD-TV等应用。在2005国际电源电池博览会上，英飞凌展示了最新的CoolSET F3系列产品及其应用参考设计方案。CoolSET F3系列产品内置多种功能：主动的冲突模式(Burst Mode)，具备待机时低耗电量特性，对于负载激增的突发状况具有实时反应能力；内置的“峰值功率(Peak Power)限制”功能，使输出功率可不受制于供电电压，可在全球范围内使用；CoolSET F3自我激活的起始电路不需要外在降压电阻器(Dropping Resistor)，从而缩短上电(Power-Up)时间，降低系统成本。伍伟明指出：“一般的激活电路有一定的延时，但我们的自我激活可以克服这个缺陷。”他强调：“CoolSET(tm) F3产品的待机耗电量是当今最低的，而且低于美国环保署的能源之星（Energy Star）与德国蓝天使生态标准（German Blue Angel Eco Norm）的规格。 对于30 W的DVD录放机而言，CoolSET(tm) F3的待机耗电量低于100 mW。”
另外，随着节能增效趋势日益明显，提供电路功率修正因数变得越来越迫切。英飞凌也推出了相关的产品，例如其ICE1PD265G功率因数控制器号称功率因数接近1，英飞凌亚太区汽车与工业电子市场工程主任罗俊炀表示：“目前功率因数校正多采用有源方式，此种方式可以获得较高的功率因数。”
调研公司IMS Research于2004年发布的报告指出，2003年英飞凌已经超过IR和ST成为全球最大的功率器件供应商。而近期英飞凌公布的年报也显示，其电源管理业务领域比去年又有增长。伍伟明表示中国的电源管理市场潜力巨大，尤其在节能方面的发展空间非常大，仅在降低待机功耗方面，就有巨大商机。
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