佳工机电网 在线工博会 注册 登录 手机版 English | 关于我们 联系我们
关键字  
  选择展区 >>
您的位置: 首页 > 电子元器件及材料展区 > 二极管、三极管展厅 > 产品库 > MOSFET > 新闻 > 正文 产品 会展 人才 帮助 | 注册 登录  
二极管、三极管
 按行业筛选
 按产品筛选
本产品全部新闻


e展厅 产品库 视频 新闻 技术文章 企业库 下载/样本 求购/论坛
  市场动态 | 技术动态 | 企业新闻 | 图片新闻 | 新闻评论 佳工网行业新闻--给您更宽的视角 发表企业新闻 投稿 
罗姆推出安装面积仅3.3mm见方的车用MOSFET
http://cn.newmaker.com 9/22/2016 10:20:00 AM  日经BP社
欢迎访问e展厅
展厅
1
二极管、三极管展厅
晶体管, LED, 二极管, 高压二极管, 三极管, ...
罗姆于2016年9月13日推出了汽车用MOSFET“AG009DGQ3”,采用安装面积仅3.3mm×3.3mm的HSMT8AG封装,安装高度为0.8mm。与该公司原产品相比,安装面积削减了约64%。新产品符合汽车用分立半导体芯片的质量标准“AEC-Q101”,主要用于发动机ECU(电子控制单元)等用途。

罗姆介绍说,汽车用MOSFET为了保证质量,一般都采用安装面积为5mm×6mm的封装,尤其是要求高可靠性的发动机ECU用途,5mm×6mm被视为小型化的极限。此次通过改良MOSFET芯片技术和封装技术,在确保可靠性的同时实现了小型化。另外,为了提高在印刷电路板上安装时的可靠性,采取了两个措施。一是采用该公司自主开发的端子结构,通过扩大端子宽度提高了接合强度。二是在栅极端子的中央部实施电镀处理,提高了焊料润湿性,将造成栅极端子脱落的焊接裂纹的发生几率降到了原来的一半以下。

此次的新产品为n沟道型,耐压为+40V,最大漏电流为±30A。导通电阻在栅-源间电压为+10V时为8.0mΩ(最大值),+4.5V时为10.0mΩ(最大值)。总栅极电荷为32nC(标称值),封装容许损耗为75W,保存温度范围为-55~+175℃。2016年7月开始样品供货,2016年9月开始以月产400万个的规模量产。样品价格为500日元(不含税)。

此外,罗姆还在开发p沟道型产品——耐压为-45V的“AG001AHQ3”和-60V的“AG010ALQ3”。AG001AHQ3的最大漏电流为±30A,导通电阻在栅-源间电压为+10V时为41mΩ(最大值),+4.5V时为58mΩ(最大值),总栅极电荷为41nC(标称值)。AG010ALQ3的最大漏电流为±26A,导通电阻在栅-源间电压为+10V时为75mΩ(最大值),+4.5V时为90mΩ(最大值),总栅极电荷为29nC(标称值)。投放市场的时间未公布。(特约撰稿人:山下胜己)

发表评论】【新闻评论】【论坛】【收藏此页
更多有关MOSFET的新闻: more
·京大和罗姆试制出全球首款双向SiC MOSFET 6/22/2016
·[图]大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET 600V MDmesh M2 EP 1/5/2016
·[图]意法半导体为车载电源小型化推出超结功率MOSFET 12/22/2015
·[图]2EDN EiceDRIVER™ MOSFET驱动器树立可靠性和低功耗新标准 11/29/2015
·[图]意法半导体推出耐压1500V的超结功率MOSFET“MDmesh K5系列” 10/29/2015
·[图]Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin连接来实现更好的性能 10/13/2015
·东芝推出采用高容许损耗封装的车载用功率MOSFET 10/8/2015
·Intersil宣布收购Great Wall Semiconductor公司 9/16/2015
·[图]意法半导体推出降低了导通电阻的60V耐压功率MOSFET 9/11/2015
·东芝发布用于车载设备的100V耐压功率MOSFET 9/9/2015
更多有关二极管、三极管的新闻:
·[图]Littelfuse推出了两个系列的0.5pF、12kV瞬态抑制二极管阵列,旨在防止高速接口遭受ESD破坏 7/29/2016
·[图]Vishay新的 BiSy两线超低电容ESD保护二极管为高速数据线提供安全保障 7/27/2016
·[图]Vishay采用小尺寸封装的365nm波长的中功率UV LED具有超长使用寿命 7/26/2016
·京大和罗姆试制出全球首款双向SiC MOSFET 6/22/2016
·[图]Littelfuse新推SP1026系列30kV瞬态抑制二极管阵列,帮助避免静电放电损坏设备 6/17/2016
·[图]Vishay新款带硅树脂透镜陶瓷基底高功率UV LED具有超长使用寿命 5/28/2016
·[图]Littelfuse新推小尺寸、超小型400W瞬态抑制二极管,可保护敏感电子设备免受瞬态电压的危害 5/24/2016
·[图]Littelfuse超低正向电压降肖特基势垒整流器优于传统开关二极管 5/18/2016
·[图]Littelfuse宣布推出 SP4042系列3.3V瞬态抑制二极管阵列 5/5/2016
·田中贵金属等开发出使用金颗粒接合的高输出功率LED模块 4/8/2016
查看与本新闻相关目录:
·电子元器件及材料展区 > 二极管、三极管展厅 > MOSFET > 二极管、三极管技术动态

对 二极管、三极管 有何见解?请到
二极管、三极管论坛 畅所欲言吧!





网站简介 | 高级会员服务 | 广告服务 | 服务条款 | English | Showsbee | 会员登录  
© 1999-2018 newmaker.com. 佳工机电网·嘉工科技