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意法半导体为车载电源小型化推出超结功率MOSFET
http://cn.newmaker.com 12/22/2015 4:17:00 PM  佳工机电网
意法半导体为车载电源小型化推出超结功率MOSFET意法半导体于2015年12月15日发布了面向车载电源小型化用途的超结(Super Junction)型功率MOSFET。其中运用了该公司独有的“MDmesh DM2”技术。准备了耐压范围为+400~650V的多款产品。均为n沟道品,封装采用D2PAK、TO-220及TO-247。符合车载分立半导体产品的质量标准“AEC-Q101”。该公司称,“+400V耐压品和+500V耐压品符合AEC-Q101标准尚属业界首次。+600V耐压品和+650V耐压品的性能超过其他竞争公司的产品”。

另外,还在一枚芯片上与SJ型功率MOSFET一起,集成了快恢复二极管。采用TO-247封装的+650V耐压品“STB50N65DM2AG”的特性如下:连续时的最大漏电流为38A;导通电阻在栅-源间电压为+10V时仅0.87mΩ(最大值);总栅极电荷为70nC(标称值);输入电容为3200pF(标称值);输出电容为130pF(标称值);反馈电容为3pF(标称值);栅极电阻为4Ω(标称值);反向恢复时间(Trr)为150ns(源-漏极间电流为38A时的标称值),反向恢复电荷(Qrr)为0.96μC(标称值)。该公司称,“快恢复二极管的特性出色,降低了电磁辐射噪声(EMI)。可以削减外置无源滤波器的尺寸”。工作结温范围为-55~+150℃。批量购买1000个时的美国参考单价在3.0~10.0美元的范围内,耐压及封装不同的产品价格各异。

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