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意法半导体推出耐压1500V的超结功率MOSFET“MDmesh K5系列”
http://cn.newmaker.com 10/29/2015 9:54:00 AM  佳工机电网
意法半导体推出耐压1500V的超结功率MOSFET“MDmesh K5系列”意法半导体于2015年10月20日发布了采用超结(Super-Junction,简称SJ)构造的+1500V耐压的功率MOSFET“MDmesh K5系列”。该公司称,“这是+1500V耐压的超结功率MOSFET首次实现实用化”。新产品的特点是,单位面积的导通电阻和总栅极电荷均为业界最低。因此,导通电阻与栅极电荷的乘积,也就是FOM(品质因数)为业界最高。

新产品主要用于服务器、焊接机、工厂自动化设备等配备的开关电源(AC-DC转换器)等。据称支持多种电源电路拓扑,例如准谐振转换器、采用有源钳位电路的反激式转换器、LLC共振型半桥接转换器等。支持的输出电力范围约为75~230W。转换效率最大为96%。

意法半导体首先推出了该系列的2款产品,分别是最大漏电流为7A的“STW12N150K5”和最大漏电流为14A的“STW21N150K5”,均为n沟道产品。STW12N150K5的导通电阻在栅-源间电压为+10V时为1.9Ω(最大值),总栅极电荷为47nC(标称值),输入电容为1360pF(标称值),输出电容为80pF(标称值),反馈电容为0.7pF(标称值),栅极电阻为3Ω(标称值)。STW21N150K5的导通电阻在栅-源间电压为+10V时为0.9Ω(最大值),总栅极电荷为89nC(标称值),输入电容为3145pF(标称值),输出电容为172pF(标称值),反馈电容为1pF(标称值),栅极电阻为2.4Ω(标称值)。两款产品的封装均采用TO-247。工作结温范围为-55~+150℃。批量购买1000个时的美国参考单价均为14美元。

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