二极管、三极管 |
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东芝推出采用高容许损耗封装的车载用功率MOSFET |
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http://cn.newmaker.com
10/8/2015 9:41:00 AM
日经BP社
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东芝于2015年9月29日发布了车用功率MOSFET“SSM3J356R”,采用额定容许损耗(PD)高达1W(DC时)的SOT-23F封装。新产品为-60V耐压的p沟道产品,主要用于驱动汽车前灯和液晶屏背照灯等。驱动LED串联组串时的可用于高边开关。该产品采用散热特性较高的SOT-23F封装,在与现有SOT-89封装品确保同等散热特性的同时,可将安装面积削减64%。新产品符合车载分立半导体芯片的品质标准“AEC-Q101”。
SSM3J356R的最大漏电流为-2.0A,栅极阈值电压范围为-0.8V~-2.0V。导通电阻(标称值)方面,栅-源间电压为-4.0V时为280mΩ,-4.5V时为270mΩ,-10V时为240mΩ。栅极电荷为8.3nC(标称值)。输入电容为330pF(标称值)。
除此之外,东芝还为该产品准备了互补产品——n沟道型功率MOSFET“SSM3K2615R”。(记者:山下胜己)
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