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东芝发布用于车载设备的100V耐压功率MOSFET
http://cn.newmaker.com 9/9/2015 8:15:00 AM  佳工机电网
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东芝上市了用于车载设备的+100V耐压功率MOSFET “TK11S10N1L”。该产品为n沟道型。特点是导通电阻低。栅-源极间电压为+10V时仅为28mΩ(最大值)。通过将利用该公司自主制造技术“U-MOSVIII-H”制造的MOSFET芯片封装在低电阻封装DPAK+中,降低了导通电阻。预定取得车载用分立半导体质量标准“AEC-Q101”的认证。可用于发动机用电子控制单元(ECU)、LED前大灯、车载用DC-DC转换器、电机驱动电路等用途。

最大漏极电流,连续信号时为11A,脉冲信号时为33A。漏极截止电流只有10μA(最大值)。栅极阈值电压的最小值为1.5V,最大值为2.5V。栅-源极间电压为+4.5V时的导通电阻为50mΩ(最大值)。栅极电荷量为15nC(标称值)。输入容量为850pF(标称值)。反馈容量为67pF(标称值)。输出容量为370pF(标称值)。开关时间方面,导通时为29ns(标称值),关断时为36ns(标称值)。100V耐压品支持+4.5V的逻辑电平。由于开关噪声小,因此可降低辐射噪声(EMI)。最大工作沟道温度高达+175℃。价格尚未公开。(记者:山下胜己)

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