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东芝推出导通电阻仅2.6mΩ的75V耐压n沟道型功率MOSFET |
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| http://cn.newmaker.com
1/6/2015 9:25:00 AM
日经BP社
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东芝推出了导通电阻仅有2.6mΩ（栅源间电压为+10V时的最大值）的75V耐压n沟道型功率MOSFET“TPH2R608NH”。据介绍，新产品采用了东芝独有的工艺技术“U-MOSVIII-H”，“实现了业界顶级的低导通电阻特性和高速开关特性”。该产品主要用于服务器和通信设备等配备的开关电源（AC-DC转换器）和DC-DC转换器。
新产品的最大连续漏极电流为150A，最大脉冲漏极电流为500A。栅极的阈值电压方面，最大值为+2.0V、最小值为+4.0V。栅极的漏电流为±0.1μA（最大值）。栅极电荷量为72nC（标称值）。栅极开关所需要的电荷量（QSW）仅为28nC（标称值），因此能够实现高速的开关动作。输入电容为4600pF（标称值），输出电容为1100pF（标称值），反馈电容为50pF（标称值），栅极电阻为1.0Ω（标称值）。新产品采用外形尺寸为5mm×6mm×0.95mm的SOP Advance封装。价格尚未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）
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