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意法半导体推出MDmesh M2系列低导通电阻650V耐压超结功率MOSFET |
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| http://cn.newmaker.com
12/4/2014 9:47:00 AM
佳工机电网
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 意法半导体于2014年11月27日发布了降低了导通电阻的650V耐压超结功率MOSFET“MDmesh M2系列”。新产品的特点是，导通电阻（RDS（ON））比该公司原产品更低，同时栅漏间电荷（QGD）、输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也更低。该系列有最大漏极电流不同的22款产品，最大漏极电流的范围为4～11A。最低导通电阻为0.360Ω（栅源间电压为+10V时的最大值）。新产品主要面向笔记本电脑、打印机、家用游戏机、液晶电视等内置的开关电源以及LED照明器具的驱动电路等。
新产品中，最大漏极电流（25℃、连续时）为4A的“STD6N65M2”的特性为：栅源间电压为+10V时的导通电阻为1.35Ω（最大值），栅极总电荷（QG）为9.8nC（标称值），栅漏间电荷（QGD）为4nC（标称值），输入容量（Ciss）为226pF（标称值），输出容量（Coss）为12.8pF（标称值），反馈电容为0.65pF（标称值），栅极电阻为6.5Ω，导通时的延迟时间为19ns（标称值）、关断时为6.5ns（标称值），上升时间为7ns（标称值）、下降时间为20ns（标称值）。封装有D2PAK和DPAK两种。工作接合部温度范围为-55～+150℃。在美国市场，批量购买1000个D2PAK封装产品时的参考单价为0.92美元起。
所有22款产品的D2PAK封装品和DPAK封装品现已开始量产。此外，采用“PowerFLAT 5x6 HV”封装的产品预定在2015年第一季度投放市场。
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