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东芝推出超薄封装光电耦合器，用于IGBT和功率MOSFET的栅极驱动 |
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| http://cn.newmaker.com
9/12/2014 8:55:00 AM
日经BP社
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东芝推出了可直接驱动中小容量IGBT和功率MOSFET的光电耦合器“TLP5751/TLP5752/TLP5754”。特点是封装面积小，采用超薄SO6L封装，外形尺寸为7.5mm×3.84mm×2.3mm。与该公司原来的8端子DIP封装品相比，封装面积可减小约43％，厚度可减小约54％。适用于工业用电子设备、家用光伏发电系统、数字家电及不间断电源（UPS）等。
这款光电耦合器组合使用了基于GaAlAs材料的红外LED和受光IC。备有输出电流不同的3款产品。TLP5751的输出电流为±1.0A，适用于小容量（最大20A）IGBT和功率MOSFET；TLP5752的输出电流为±2.5A，适用于中容量（最大80A）IGBT和功率MOSFET；TLP5754为±4.0A，适用于中容量（最大100A）IGBT和功率MOSFET。新产品的电源电压范围较大，为＋15～30V，传输延迟时间为150ns（最大值），时滞为80ns（最大值），输出形式为缓冲逻辑输出（图腾柱输出），输出可在整个电源电压范围内摆动（满摆幅输出），绝缘耐压为5kVrms（最小值），瞬间共模抑制电压为±35kV/μs。
新产品符合“UL1577”、“cUL”、“EN60747-5-5”等安全标准。配备低电压闭锁（UVLO）功能。消耗电流为3mA（最大值），输入的阈值电流为4mA（最大值），确保了8mm（最小值）的封装爬电距离，工作温度范围为－40～＋110℃。价格未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）
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