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IDT与eSilicon合作加速第三代RapidIO交换的开发进程 |
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| http://cn.newmaker.com
7/16/2014 8:32:00 AM
佳工机电网
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IDT公司（Integrated Device Technology, Inc.）与eSilicon公司日前宣布，将合作加快下一代RapidIO交换的开发进程，以满足用于无线、嵌入式和计算基础架构中的新系统架构对性能不断增长的要求。两家公司将共同致力于初期研究，开发基于RapidIO 10xN标准的每端口40 Gbps 的RapidIO交换机。
在这一计划下开发的交换将帮助下一代无线基站、Cloud RAN（无线接入网）、移动Edge计算和其他演进运营网络的制造商能够相对于便携式设备的广泛使用带来数据量的迅速增长先行一步。
eSilicon公司首席执行官Jack Harding表示：“从设计到实现再到量产，这一协作的研发努力正在确立并会将新一代的RapidIO产品快速推向市场，以满足更高容量、更大带宽基站和其他运营平台的需求。eSilicon在28纳米领域的专长，包括高速串行器部署和定制内存设计，对于IDT在 RapidIO设计上的专长是一个很好的补充。”
RapidIO 10xN交换器将为网络提供一个理想的组合，包括100ns低延迟、每端口40 Gbps带宽和大于40亿节点的可扩展性。双方共同研发的设备将应用于新一代基站平台，例如LTE演进版本（LTE-A）、C-RAN和5G，但也可应用于例如与高性能计算（HPC）平台同地协作的基站的新兴架构中。
IDT每端口20 Gbps交换机产品目前是DSP集簇、微处理器以及在全球范围内部署的现有3G和4G基站中ASIC的事实上的互连标准。在这一合作下，两家公司将基于现有的交换和桥产品组合，计划在2015年下半年推出首款合作开发的产品。
IDT公司首席执行官Gregory Waters表示：“互连的发展对通信基础架构的持续演进必不可少，我们目前的RapidIO交换几乎为全球每一个4G基站所打造。但是下一代基站和C-RAN已然到来，要求比以往任何时候都更高的性能。与eSilicon的合作将使我们加快RapidIO开发，我们的客户和整个通信行业都将因此受益。”
RapidIO.org执行总裁Rick O’Connor表示：“IDT和eSilicon的此次合作将使RapidIO技术朝向每端口40 Gbps以及未来100 Gbps的方向发展，这是迈向成长的RapidIO生态系统的重要一步。毫无疑问，这一合作将广受需要高带宽和高容量的性能关键型计算应用开发者们的欢迎，并将通过处理器、DSP和RapidIO生态系统内的FPGA合作，促进RapidIO 10xN技术的发展。”
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