• DesignWare USB 2.0 femtoPHY IP的面积小于0.2平方毫米，DesignWare USB 3.0 femtoPHY的面积小于0.5平方毫米，使设计师能够节省面积并降低整体硅成本
• DesignWare USB 3.0 femtoPHY完全支持USB 2.0，与全球数十亿部设备兼容
• 具有关闭电源后保留数据的功能，在确保数据被保存的同时延长电池寿命；支持USB 电池充电v1.2版规范（USB Battery Charging v1.2），以确保便携式设备的高效充电
• DesignWare USB femtoPHY采用减少引脚数量的设计，从而将SoC的外部面积和宽度降至最低
• 带有DesignWare USB femtoPHY的28nm和14nm FinFET工艺的消费类芯片已成功流片
为加速芯片和电子系统创新而提供软件、知识产权（IP）及服务的全球性领先供应商新思科技公司（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票市场代码：SNPS）今日宣布：通过推出全新的DesignWare®USB femtoPHY系列IP，已将USB PHY的实现面积缩小多达50％；从而可在28nm和14/16nmFinFET工艺节点上，将USB PHY设计的片芯占用面积和成本降至最低。采用28nm和14nm FinFET硅工艺的DesignWare USB femtoPHY已展示出稳固的性能，使设计师能够在先进工艺技术节点上实现该IP，同时降低系统级芯片（SoC）设计风险。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY专为极小面积而优化，满足了诸如智能手机和平板电脑等移动设备，以及诸如数字电视、存储等网络应用等大批量消费应用的严苛要求。
DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP（DWC SS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET和DWC HS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET）已经在第三方实验室中通过了USB-IF一致性测试。DesignWare USB femtoPHY达到或超过了USB-IF标准规范，包括5V耐压和3.3V信令体制，提供了有利于系统配置运行全部规格定义功能的强大性能。DesignWare USB femtoPHY支持所有的USB应用模式，为系统设计师提供了一系列多样化的SoC设计选项。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY两个产品都支持Hi-Speed高速、Full-Speed全速和Low-Speed低速运行，以及作为主控、设备和OTG等不同配置，同时DesignWare USB 3.0 femtoPHY还支持超高速USB运行（USB 3.0）。
“基于我们长期成功使用DesignWare USB IP的经验，我们实现了带有高品质DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP芯片的一次流片成功，”三星电子晶圆代工市场营销副总裁Shawn Han博士表示：“在三星晶圆代工厂中制造的带有DesignWare USB femtoPHY IP的芯片，是首款采用14 nm FinFET工艺的、通过了USB-IF认证的芯片。通过集成一个面积显著缩小的PHY，提高了我们客户系统级芯片的竞争力，并且简化了添加USB连接的过程。Synopsys的DesignWare femtoPHY够满足大批量移动和消费类应用的成本、功耗、性能和上市时间的需求，它们对于我们在这些快速发展的市场中获得成功至关重要。”
