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罗姆、三菱电机及日产发布沟道型SiC MOSFET的最新成果 |
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| http://cn.newmaker.com
10/4/2013 2:11:00 PM
日经BP社
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2013年9月29日～10月4日召开的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM 2013”（日本宫崎县Phoenix Seagaia Resort）的第二天举行了分会Mo-1A“MOSFET 1”，沟道型MOSFET成了该会议讨论的焦点。沟道型MOSFET容易在实现高耐压的同时兼顾低导通电阻，被定位为继现行DMOSFET之后的第二代SiC MOSFET。在这场分会上，罗姆、三菱电机和日产汽车分别公开了最新的开发成果。
罗姆就之前推进开发的双沟道型SiC MOSFET发表了特邀演讲（演讲序号Mo-1A-1）。该公司介绍说，“量产准备工作已经就绪，将在2013年内或2014年上半年开始量产”。与原来的构造相比，该公司的双沟道型SiC MOSFET可以大幅缓和栅极附近的电场集中现象。关于耐压为1700V、额定电流为100A以及耐压为1200V、额定电流为250A的两款产品，罗姆将提供把SBD（肖特基势垒二极管）集成在同一封装里的产品等。另外，该公司已从2010年底开始量产SiC DMOSFET，提供DMOSFET单品以及将DMOSFET和SBD集成在同一封装里的产品。
三菱电机的演讲旨在攻克沟道型SiC MOSFET存在的两个技术课题（演讲序号Mo-1A-2）——电场向沟道底部集中导致栅极绝缘膜的可靠性劣化，以及栅极-漏极电容的增大导致开关损耗增加。该公司此次开发出了将接地式p型阱设置在沟道下方以保护栅极绝缘膜的方法。该p型阱可以通过自对准式离子注入工艺形成。据介绍，与没有设置p型阱时相比，此次的构造可以抑制电场集中现象，此外，与设置电位浮置式p型阱时相比，还可以减小栅极-漏极电容。（记者：大下 淳一，日经BP半导体调查）
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