Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻
http://cn.newmaker.com
9/5/2013 3:54:00 PM
佳工机电网
器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
对于电源管理中的负载和电池开关，以及智能手机、平板电脑、移动计算设备、硬盘驱动器和固态驱动的同步降压转换应用里的控制开关，-12 V SiA467EDJ提供了13mΩ(-4.5V)的极低导通电阻。-20V SiA437DJ的导通电阻为14.5mΩ(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的导通电阻分别只有20mΩ(-10V)和21mΩ(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的电流等级高达30A，承受很大的涌入电流，可用于负载开关。
器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装
