Vishay在Techno-Frontier 2013展出所有产品线的业界领先的创新产品 - 新闻


		我的佳工网手机版 English
		关键字

选择展区 >>




您的位置：首页 > 电子元器件及材料展区 > 二极管、三极管展厅 > 产品库 > MOSFET > 新闻 > 正文	产品会展人才帮助 \| 注册登录

二极管、三极管

	按行业筛选

	按产品筛选


本产品全部新闻

e展厅

产品库

视频

新闻

市场动态 \| 技术动态 \| 企业新闻 \| 图片新闻 \| 新闻评论	佳工网行业新闻--给您更宽的视角	发表企业新闻投稿

Vishay在Techno-Frontier 2013展出所有产品线的业界领先的创新产品

http://cn.newmaker.com 7/5/2013 12:28:00 PM 佳工机电网

欢迎访问e展厅
展厅 1	二极管、三极管展厅晶体管, LED, 二极管, 高压二极管, 三极管, ...

最新的半导体和无源元件提高了各种各样应用的效率和可靠性

宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 7 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，将参加7月17日至19日在东京国际展览中心举行的Techno-Frontier 2013，并在电源系统专项展览Power System Japan的1D-207展位展出其最新的半导体和无源元件。作为为互联、移动和可持续发展提供元器件方案的供应商，Vishay将展示在各个产品线上所取得的业界领先的创新技术，帮助各种应用提高效率和可靠性。

在Techno-Frontier 2013上，Vishay Siliconix将展示在4.5V栅极驱动下最大导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET；PowerPAK® SO-8L和8x8L封装的50W前大灯LED驱动；优化了热性能和电性能的PowerPAIR®器件。重点推出功率IC包括采用3mm x 3mm DFN10封装的28V可编程、受保护的智能负载开关，5mm x 5mm封装的高密度60A功率级；3 mm x 3 mm QFN-16封装的高效16V microBUCK®稳压器。

Vishay Semiconductors将展示各种二极管，包括采用SMPD封装的45V～120V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器；用于电动汽车、UPS和太阳能逆变器的第二代 650V FRED Pt® Ultrafast二极管；FRED Pt 超快恢复整流器。另外，Vishay Semiconductors将在显著位置展示SurfLight™高功率红外表面发射器等光电子产品，带有数字输出的全集成接近传感器，以及1mA和5mA输入电流的光耦。

Vishay的无源元件包括该公司各种各样的最新电容器、电阻和电感器。重点展示的电阻包括具有高功率密度和可在+275℃高温恶劣环境下使用的Vishay Dale Power Metal Strip®电阻，以及用于功率计和电池管理应用的高电流Power Metal Strip分流电阻。

特色电容器包括具有业内最小外形尺寸的Vishay Sprague Micro Tan®汽车级固钽片式电容器；Vishay ESTA功率电子电容器；Vishay Vitramon通过安全认证的多层陶瓷片式电容器(MLCC)。Vishay Dale将展出面向汽车应用的薄型、高电流IHLP®器件，用于桌面电脑和服务器的高温通孔电感器等电感器产品。

另外，Vishay将在Techno-Frontier 2013的展位进行两项演示。Vishay Siliconix将演示用600V和650V的E系列功率MOSFET来提高效率。Vishay Semiconductors将演示一个采用低正向电压和快速开启时间的TMBS整流器，以及具有高阻抗并能减小信号损失的低CJ TVS器件的系统。

欲了解Techno-Frontier 2013的更多信息，请访问http://www.jma.or.jp/TF/en/。

【发表评论】【新闻评论】【论坛】【收藏此页】

更多有关MOSFET的新闻： more

·[图]Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET 12/9/2014
·[图]IR推出抗辐射的功率MOSFET，耐压20V、导通电阻15mΩ 8/21/2013
·东芝推出用于继电器驱动器的MOSFET SSM3K337R 6/25/2013
·[图]Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族 6/4/2013
·电装试制出漏电流小且导通电阻低的600V耐压超结MOSFET 6/3/2013
·瑞萨发布第三代车载SJ-MOSFET，兼顾低导通电阻和低EMI 5/30/2013
·[图]ST发布全新STripFET VII DeepGATE MOSFET 5/28/2013
·英飞凌最新650V超结MOSFET技术的CoolMOS C7即将量产 5/21/2013
·[图]IR出汽车级COOLiRFET MOSFET系列 5/21/2013
·英飞凌开发出导通电阻仅为19mΩ的650V耐压硅MOSFET 5/20/2013

更多有关二极管、三极管的新闻：

·NXP发布全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管 6/24/2013
·Vishay在2013中国电子展成都站将展出其最新的业界领先技术 6/17/2013
·2013年LED商机看好 2014年以后照明市场需求将超过背光源 4/12/2013
·亿光电子在FIEE 2013展出全新系列LED封装组件 4/7/2013
·LED基板材料，硅基GaN能否战胜蓝宝石？ 9/3/2012
·英飞凌推出全新射频功率LDMOS晶体管 7/13/2012
·JEDEC发布首个高功率LED国际热测试标准 5/28/2012
·LED 2012供需状况逐渐平衡需求成长主要来自于LCD背光源与照明 5/22/2012
·[图]Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET荣获2012中国年度电子成就奖 4/26/2012
·LED现况与展望 4/13/2012

对二极管、三极管有何见解？请到二极管、三极管论坛畅所欲言吧！