意法半导体全新STripFET VII DeepGATE MOSFET在当前市场销售的80V和100V功率晶体管中拥有最高的导通效率，同时提高了开关效率。此外，新产品有助于简化设计，使用数量更少且封装更小的器件满足系统功耗和能效目标，从而降低了设备尺寸和成本。
增强的MOSFET栅结构是意法半导体STripFET VII DeepGATE技术的重要进步，降低器件通态电阻的同时还降低了内部电容和栅电荷，进一步提高开关速度和效率。新产品的抗雪崩能力优异，使产品在可能损坏器件的恶劣条件中仍可正常工作，因此STripFET VII DeepGATE是汽车电子应用的最佳选择。
现在可订购的STripFET VII DeepGATE样片或产品超过15种，包括STP270N8F7 80V器件和若干100V器件，客户可选择TO-220、DPAK、PowerFLAT 5x6和2针脚或6针脚H2PAK封装。如需大量订购，请联络意法半导体销售办事处。
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出能够降低电信系统、计算机系统、太阳能逆变器、工业自动化以及汽车电子等应用设备的环境影响的新一代高能效功率器件。