二极管、三极管 |
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英飞凌开发出导通电阻仅为19mΩ的650V耐压硅MOSFET
5/20/2013 8:56:00 AM |
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德国英飞凌科技(Infineon Technologies)发布了采用超结(Super Junction,SJ)构造、耐压为650V的硅MOSFET“CoolMOS”的新产品“C7”,并在2013年5月14~16日于德国纽伦堡举行的功率电子技术大会“PCIM 2013”上进行了展示。C7是该公司超结MOSFET的第七代产品。其最大特点是导通电阻较小。TO-247封装产品的导通电阻仅为19mΩ,TO-220封装产品的导通电阻为45mΩ。该公司表示,这些数值“在业界属于最小水平”。
C7设想用于要求高速开关的用途。比如,光伏发电系统、服务器、通信设备和UPS等。据悉,即使在开关频率为100kHz的用途,也可实现较高的频率。现已开始样品供货,预定从2013年6月开始量产。(记者:根津 祯,《日经电子》)
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Infineon 英飞凌科技(中国)有限公司联系方式:
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网址: |
http://www.infineon.com/cn/
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电话:86-21-3895 4888 |
地址: |
中国·上海·浦东张江高科技园区松涛路647弄7-8号 邮编201203 |
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