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AOS推出最新150V MOSFET,适用通信及工业电源
http://cn.newmaker.com 5/13/2013 11:11:00 AM  佳工机电网
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二极管、三极管展厅
晶体管, LED, 二极管, 高压二极管, 三极管, ...
日前,集设计,研发一体的著名功率半导体及芯片供应商万国半导体(AOS)发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS (MOS)中压系列旗舰产品,为众多设备追求极致效率提供了解决方案。AON6250适用于通信及工业电源DC/DC转换器原边开关、AC/DC及DC/DC转换器副边同步整流,太阳能微逆变器,以及通信系统中的负载点模块(POL)。

采用先进的AlphaMOS技术,AON6250实现了业界领先的低导通内阻和高速开关性能。该产品与上一代产品相比,内阻降低了57%;与市场上现有最先进的同类型150V器件相比,内阻降低了8% ,除此之外, AON6250的优值(RDS(ON)* COSS)也是市场上最好的,从而可以有效降低开关损耗。因此无论是轻载条件还是重载条件,效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封装,符合绿色环保产品相关规定,且电气性能方面100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试。继AON6250之后,万国半导体(AOS)将发布一系列150V MOSFET产品。

“终端客户总是要求电源系统输出更高功率并且占用更小的空间,这让电源设计工程们面临严峻考验”,AOS高级产品经理Stephen表示, “实现其功率密度,需要器件具有极低的导通内阻以及良好的开关性能,AON6250正好可以满足工程师的需求。”

AON6250技术优势:

●150V N-channel MOSFET in a DFN5x6 package

●RDS(ON)< 16.5 mOhms max at VGS= 10V (业内最低内阻)

●COSS= 213 pF typ

●Qg(10V) = 30.5 nC typ

●业内最低RDS(ON)* COSS(优值, 可以有效降低开关损耗)

●100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试

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