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东芝推出导通电阻减小30％的600V耐压超结型功率MOSFET |
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| http://cn.newmaker.com
4/10/2013 9:44:00 AM
日经BP社
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 东芝于2013年4月3日开始销售单位面积的导通电阻比该公司原产品减小了30％的600V耐压超结型功率MOSFET“DTMOSIV”。东芝称，“这款产品实现了业界最低的单位面积导通电阻”。这是通过在制造技术中应用单一外延工艺实现的。而且，还利用此次的制造技术提高了寄生二极管的恢复速度，将反向恢复时间缩短至该公司原产品的1/3。因此，可将电源电路的损耗控制在较低水平。新产品将用于开关电源、微型逆变器、AC适配器和光伏发电系统用逆变器等。
东芝此次推出了最大漏电流和导通电阻等各不相同的三款产品。第一款是最大漏电流为15.8A的“TK16A60W5”。栅源间电压为10V时的导通电阻为0.23Ω（最大值），栅极电荷量为43nC（标称值），输入容量为1350pF（标称值），反向恢复时间为100ns（标称值），采用TO-220SIS封装。
第二款产品是漏电流为30.8A的“TK31J60W5”。栅源间电压为10V时的导通电阻为0.099Ω（最大值），栅极电荷量为105nC（标称值），输入容量为3000pF（标称值），反向恢复时间为135ns（标称值），采用TO-3P(N)封装。
第三款产品是漏电流为38.8A的“TK39J60W5”。栅源间电压为10V时的导通电阻为0.074Ω（最大值），栅极电荷量为135nC（标称值），输入容量为4100pF（标称值），反向恢复时间为150ns（标称值），采用TO-3P(N)封装。
三款产品的价格均未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）
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